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全新(2455)-涅槃重生 全新開始


2022-12-03 / 吳念庭
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一.公司簡介 :


全新成立於1996年11月,以MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)技術, 生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片,為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商,全球排名為前三大製造商之一。化合物半導體與元素(矽)半導體最大的不同點,就在於化合物半導體的磊晶過程比較複雜,所以矽的磊晶步驟則多在晶圓廠中進行,而化合物半導體則形成了單獨的磊晶事業,由於元件特性多半於磊晶階段決定,因此磊晶是供應鏈中相當重要的一環,攸關客戶端產品良率、特性與品質。主要客群為砷化鎵晶圓代工廠及IDM廠,客戶包含穩懋、Skyworks、Qorvo、Avago、宏捷科…等。


Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗天然輻射、能源使用率佳、能階帶可調整及電子移動速度快…等優點,為近年無線通訊、光纖通訊、光學感測、太陽能電池及光顯示之關鍵組件,全新主要分成微電子 (Microelectronics)及光電子(Photonics)兩大產品線。



二.產業技術與發展 :


1.上、中、下游 : 全新光電係以 MOCVD 技術專業生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片,再交給穩懋、宏捷顆等代工廠製作相關元件,居於產業鏈的上游。



(資料來源 : 全新)


2.產品項目為:


A.異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片


B.假晶高電子遷移率電晶體(PHEMT)磊晶片


C.磷化銦異質接面雙載子電晶體(InP HBT)磊晶片


D.異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體(BiHEMT)磊晶片


E.PD、APD 磊晶片(波長 650nm~1700nm、1900nm~2600nm)


F.2.5G FP、DFB LD 磊晶片;10G FP、DFB LD 磊晶片


G.EEL 及 VCSEL 磊晶片


H.高功率 FP、DFB LD


I.多接面太陽能電池磊晶片


3.全新主要分微電子 (Microelectronics)及光電子(Photonics)兩大產品線 :


(1)微電子


a.HBT(異質接面雙載子電晶體) : HBT因物理特性具備高線性度、良好寬頻響應、高崩潰電壓、高增益、高效率、較低寄生效應、低相位雜訊等優點,使其功能具有功率放大倍率佳、待機耗電流較低、體積小等特色,故 HBT 為手機及無線區域網路(WLAN, Wireless Local Area Network)用 PA(Power Amplifier, 功率放大器)之主流技術。


b.PHEMT(假晶高速電子移動電晶體) : PHEMT 因為 InGaAs (砷化銦鎵 ) 的加入,特別適用於 RF Switch ( 射頻開關 ) 的應用,於電腦與電腦間的無線區域網路,乃至於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、數位電視、汽車雷達及汽車防撞系統等應用,都有相當大的成長空間。手機在 LNA ( 低雜訊放大器) 的特性對降低低雜訊的要求更高,PHEMT 因電子移動速率較高,較易達成低雜訊之要求 , GaAs PHEMT 也更能滿足線性度(Linearity)要求且體積較小;此外,以 PHEMT 為基地台 PA 及 WiFi 之 Switch 及 LNA 之材料,亦有配合不同客戶做產品開發與量產之規劃。


c.BiHEMT(異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體) : 經由電路設計透過磊晶成長及製程將 InGaP HBT (磷化銦鎵)線性功率放大器、AlGaAs PHEMT (砷化鋁鎵)高頻開關、AlGaAs PHEMT 邏輯控制電路、AlGaAs PHEMT 低雜訊的功率放大器、被動元件及內部連接線路整合在單一砷化鎵晶片中。由於可以提高晶片整合度、降低晶片尺寸,使材料與製造成本下降、封裝成本更低、更省電。


上述三項產品係射頻前端模組 RF Front-End Module ( RF FEM)中 PA(功率放大器)、Switch(開關)、LNA(低雜訊放大器)之主要材料;展望未來,微電子主要成長動能來自於 5G 手機及 WiFi 6 / 6E、甚至是WiFi 7,而 5G 頻譜中 FR1(Frequency range 1, Sub-6GHz)對應 n77, n78, n79 頻段(Ultra High Band, UHB),這些新增頻段須要額外的PA,約較傳統 4G 手機增加 20%~30%之 GaAs 磊晶片面積。



手機處理器(資料來源 : 曲博知識力網站)


d.GaN : 高頻與高功率材料特性,讓 GaN PA 產品在功率密度、頻寬、增益、可靠性、 元件尺寸小和耐高溫方面特性較傳統 GaAs PA 優異,使得 GaN 應用在 5G 基地台天線陣列( array ) 及 Small Cell PA 領域具有優勢;目前 GaN PA 大多為 GaN on SiC 結構,主要應用為 5G 基站。然而 SiC 基板單價高、供給有限, 許多廠商亦進行 GaN on Si、GaN on Sapphire (藍寶石) 等不同基板的技術開發,基板容易取得且價格較便宜,目標市場為 Small Cell 應用。


全新亦積極投入研發送樣產品,隨著 5G 以上通訊技術採用的頻段愈來愈高,波長短導致訊號傳輸距離變短,這項缺點將透過多個 Small Cell建置補足訊號傳輸完整性。  


(2)光電子


光纖是目前已知傳輸介質中速度最快的,具備通信容量大、傳輸距離遠、傳輸損耗低、重量輕、保密性佳等優點,是光速傳輸的最佳選擇;光通訊運作的原理為,將影音或數據訊號(0、1)先經解碼調變(modulation),由電訊號經由光發射器(Transmitter)轉為光訊號於光纖網路中傳輸,再經由光接收器(Receiver)將光訊號還原為電訊號(0、1),再次調變後即能重現原來的影音或數據,完成光通訊收發程序。


光通訊應用領域主要在電信基地台、光纖網路及數據中心(Data Center),依據Market Study Report預測,光通訊網路設備市場產值將從2020年的136.5億美金增加至2028 年的 235.7 億美金,CAGR +7.06%。


a.Photo Detector(PD)  :


全新的 PD 及APD 之光探測器,波長範圍視應用領域而不同, 650nm~1700nm 用於光纖通訊、消費性感測及車用光達(LiDAR,) 應用,而1900nm~2600nm 則用於短波長紅外線利基型感測器應用。


PD 基本操作原理為 : 1)光射入半導體材料而生成電洞對、2) 電洞對不斷增益與傳輸而產生電流、3)電流與內部的電子電路交互作用而產生輸出訊號,簡單來說,就是把接收到的光,轉成電的過程;特性上通常在操作波長須具備高靈敏度、高響應速度、高可靠度及低雜訊等要求,而APD是在 PIN 的基礎上採用雪崩倍增效應,將接收到的光電流放大,提升探測靈敏度。


b.Laser Diode(LD) 主要為用於 Transmitter (發射) 端。 FP *型雷射採雙異質結構,活性層自成一波導層,當電子電洞於此結合並發光時,會在兩側的鏡面內產生共振,形成回饋放大而產生雷射光,然而雷射以多模輸出時,經長距離傳輸後會因色散效應而導致訊號變形失真,故 FP 型雷射在應用領域上僅適用於中距離傳輸,如 EPON;DFB* 型雷射則適用於 GPON, DFB 型雷射為在 FP 型雷射增益區上方的光柵區,以選擇特定的波長產生回饋,形成穩定的單模輸出,以有效降低光在高速傳輸過程中因色散效應而導致之訊號變形可維持一定的訊號雜訊比,同時藉由較佳的光柵設計,提供較佳的光耦合及較低的臨限電流密度。PD 及 LD 常用於 Telcom、Datacom、消費性感測及車用 LiDAR 等領域。


c.VCSEL (垂直腔體面射型雷射)


VCSEL也是雷射的一種,不同於傳統雷射於側面發光(EEL),VCSEL 雷射諧振腔位於磊晶層之間,光束從磊晶層的垂直面發射,主要由量子井(Quantum well)構成的諧振腔和上下兩組高反射多層膜組成,優點是相較於傳統雷射的橢圓形光束、VCSEL的圓形雷射光束更容易與光纖耦合;VCSEL可應用於3D Sensing、車用 LiDAR、工業機器視覺、光收發模組等。



VCSEL(資料來源 : 全新)


*FP LD : 法布立—佩羅雷射(FP LD:Fabry-Perot Laser Diode)


*DF LD : 分布迴授雷射(DFB:Distributed Feedback Laser)


三.4Q22/2023展望 :


1.10 月營收.175 億元,MOM+ 10.74%、YOY-42.1%,UTR約 5 成左右,但相對穩懋(MOM+1.2%、YOY-49%)及宏捷科(-34%、YOY-72.7%)持續下降的營收表現佳,主要原因是與 IOT 及 4G PA 需求較佳有關,公司預期 4Q22 營收有機會與 3Q22 營收相當水準;法人預估 4Q22營收 5.25 億元,QoQ+0.5%, YOY-40%,業外台幣升殖將有匯損風險。


2.展望2023年,各產品線 :


(1)微電子 :


a.全新前 4 大客戶 2021 年因客戶競合關係,排序如下:Qorvo >穩懋>宏捷科> Skyworks,4 家占營收比重 75%,其餘新客戶包括高通及其他中國小廠商;大陸Ⅲ-Ⅴ族客戶2022年占比提升至10%,目前有3-5家大陸客戶,公司在大陸布局領先對手IQE (英,高平)滿多的。


b.展望 2023 年,由於全球 5G 市場最大份額來自中國,而中國屬於中低階 5G 手機居多,採用 n41 (2496-2690MHz)頻段為主,n77(3300-4200MHz)、 n79(4400-5000MHz)  PA 目前密切開發中。就聯發科法說預期 2023 年 5G 手機滲透率將由 2022 年50%提升至 55%,雖低於市場預期 ,但考量今年手機基期已經相當低,時間拉長去庫存去化動作仍見成效,靜待中系手機銷售回溫即可重啟供應鏈之拉貨動能。


c.新客戶方面,公司為QCOM (WIFI)供應商,初期訂單量仍小;整體而言,1H23仍以去化庫存為主,靜待 2H23 回升至 2019-2020 年下半年旺季水準表現。


(2)光電子 :


a.產品包括基地台、FTTH 發射、接收端及車用 LiDAR 、工業及車用影像感測;全新接收端產品包括 2.5G、10G 及 25G PON,訂單 10G 為大宗, 客戶包括環宇、華星光、三安、及透過代理商交給中國客戶如光迅, 3Q22 營收回至 1.25 億元水準,預期 4Q22營運動能與 3Q22 表現相當;參考聯亞動態更新的文章,展望2023年,中國Telecom客戶受惠東數西算、光纖到府..等政策,需求還是會成長。


b.展望 2023 年光電子部分仍仰賴基礎建設動能,至於新產品 AR / VR、資料中心LD、 車用 LiDAR 等尚處於研發小量階段。預期光電子2023 年個位數成長幅度。


3.新產品方面,GaN產品公司送樣多家客戶,目前已通過台灣廠商認證通過,小量供應國防產品,其餘客戶均測試中。


四.法人評價 :


考量 : 1)目前已為公司營運谷底,4Q22微電子止穩 、2)存貨金額將自3Q22高峰回落,並逐季調整至健康水位、 3) 2023 年受惠中系手機回溫、5G 滲透率為幅提升、美系客戶份額增加、 4)目前評價相對於 3105 穩懋、8086 宏捷科仍屬相對便宜


法人給予全新2022 / 23 年EPS 分別為3.23、3.56 元。


 


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